
記憶體市場需求正值亘古未有的大爆發,,,,,,許多廠商都希望能夠藉機入場分一杯羹,,,,,,其中就包括 Intel,,,,,,宣布與 Softbank 達成相助,,,,,,透過合資子公司,,,,,,開發次世代「ZAM」記憶體,,,,,,創造大容量、高頻寬、低功耗的新產品。。。。。。。。
Softbank 在新聞稿中確認,,,,,,與 Intel 達成相助,,,,,,配合建设「SAIMEMORY」子公司,,,,,,用以研發新一代記憶體產品以供 AI 運算市場需求。。。。。。。。
SAIMEMORY 將研發全新的「Z-Angle Memory」(ZAM)記憶體,,,,,,有別於傳統記憶體每一層之間是笔直 TSV 矽穿孔連接,,,,,,ZAM 使用 Intel Next Generation DRAM Bonding (NGDB) 記憶體連接技術,,,,,,將每一層的銜接方法改為 Z 字型。。。。。。。。
由於連接導線從直線變斜線,,,,,,與電晶體單元的接觸面積大增,,,,,,大幅減少 TSV 線路所需佔用的空間,,,,,,理論上可以創造更好的傳輸效率,,,,,,放入更多電晶體單元,,,,,,連帶提升整體容量、降低整體功耗與發熱,,,,,,宣稱可以比現行的 HBM 記憶體減少 40 - 50 % 電力。。。。。。。。
别的,,,,,,ZAM 記憶體單顆晶片容量可上看 512 GB,,,,,,對比下一代 HBM 4 單晶片僅 36 / 48 GB,,,,,,對於 AI 運算這種記憶體怪獸而言,,,,,,有著更高單位空間的效率優勢。。。。。。。。
ZAM 技術架構示意圖 (圖片由 AI 天生,,,,,,僅供簡易看法示範)??????
Softbank 預計投入 新碳能源开发有限公司30 億日圓,,,,,,相當約新台幣 6 億元進入初期開發,,,,,,Intel 則負責提供技術授權,,,,,,預計在 2027 年完成原型產品的試產,,,,,,2029 進入量產。。。。。。。。