IT之家 2 月 21 日消绿源环�？？？？？？萍加邢薰鞠ⅲ� ，，，，，剖析师 @jukan05 今日转发了一份关于英特尔 Panther Lake 的深度手艺剖析报告，， ，，，，，展现了首款基于 Intel 18A 制程工艺的 CPU 产品的要害设计参数。。。。 。。
这份报告通过对芯片物理实现的详细拆解，， ，，，，，泛起了 18A 工艺在初期量产阶段的真实手艺面目，， ，，，，，同时也勾勒出英特尔未来 14A 工艺的手艺演进路径。。。。 。。
焦点尺寸与单位设计
Panther Lake 芯片的裸晶圆尺寸（Die size）约为 110mm?，， ，，，，，芯片内所有区域，， ，，，，，包括逻辑芯片和 SRAM 芯片，， ，，，，，均接纳磷七性能（HP）库，， ，，，，，而非通常用于提高密度的高密度（HD）库。。。。 。。
详细而言，， ，，，，，逻辑芯片部分接纳 G50H180 规格，， ，，，，，SRAM 芯片面积为 0.023μm?，， ，，，，，这与英特尔此前披露的信息一致。。。。 。。
在金属层间距上，， ，，，，，其最小金属间距（M0）为 36nm。。。。 。。只管 Intel 18A 宣称可实现 32nm 的 M0 间距，， ，，，，，但这仅适用于 HD 库（对应 H160）。。。。 。。
与业界常见的 HD / HP 同间距但晶体管数目差别的做法差别，， ，，，，，18A 的 HD 和 HP 库均维持 5 个鳍片，， ，，，，，但 HD 库接纳 32nm 间距，， ，，，，，而 HP 库则为 36nm 间距。。。。 。。
在金属层方面，， ，，，，，前端（FS）共有 15 层金属层，， ，，，，，后端（BS）共有 6 层金属层，， ，，，，，其中 BM5 层实质上可视为 RDL（重漫衍层）。。。。 。。
GAA 间距与背面供电的妥协
GAA 全围绕栅极晶体管的间距是权衡工艺先进性的要害指标。。。。 。。Panther Lake 的逻辑最小栅极间距为 76nm，， ，，，，，而 SRAM 位线间距为 52nm，， ，，，，，两者之间保存显著差别。。。。 。。这一差别背后则是手艺的现实权衡。。。。 。。
值得注重的是，， ，，，，，逻辑与 SRAM 均接纳 HP 库，， ，，，，，但两者最小间距差别较大。。。。 。。现在尚未宣布 GAA 要害尺寸（CD），， ，，，，，因此无法进一步反推出 GAA 间距。。。。 。。
关于 Power Via 背面供电手艺，， ，，，，，英特尔此前已说明 18A 的 SRAM 并未接纳 Power Via 计划。。。。 。。18A 的 Power Via 手艺是在 GAA 结构之间插入电源通孔，， ，，，，，将背面供电毗连至前端中段金属层（MEOL）接触层，， ，，，，，并向源极提供电力。。。。 。。可是，， ，，，，，这要求 GAA 间距必需足够大，， ，，，，，不然 Power Via 无法通过。。。。 。。
凭证业内普遍认知，， ，，，，，若要在 SRAM 单位中实现 Power Via，， ，，，，，仅插入 NN 间距一项就需将单位高度增添 1.1 倍。。。。 。。报告指出，， ，，，，，虽然英特尔官方诠释是背面供电对 SRAM 提供的收益不显着，， ，，，，，而基础缘故原由在于手艺限制。。。。 。。
好新闻是，， ，，，，，这一限制将在 14A 节点获得解决。。。。 。。14A 将改用 BSCON 手艺，， ，，，，，直接从背面毗连到晶体管的源极端子，， ，，，，，从而挣脱 GAA 间距的约束。。。。 。。这意味着，， ，，，，，14A 的 SRAM 是具备接纳 Power Via 手艺能力的。。。。 。。
在质料层面，， ，，，，，18A 的 MEOL（中段制程）接触孔以及 BEOL（后段制程）的 V0/V1 层仍接纳钨，， ，，，，，而非此前听说中的钼。。。。 。。M0 金属层则接纳铜。。。。 。。剖析以为，， ，，，，，英特尔妄想在 14A 节点引入钼，， ，，，，，但 14A 的 M0 间距仍然较大，， ，，，，，仅略小于 18A，， ，，，，，因此现在尚无须要接纳钌。。。。 。。
除此之外，， ，，，，，18A 的 GAA 结构已配备内部距离层（Inner Spacer）。。。。 。。相比之下，， ，，，，，三星的 SF3 工艺直到 SF2 节点才引入该结构，， ，，，，，这凸显了差别代工厂在手艺成熟度上的差别。。。。 。。
在产能与良率方面，， ，，，，，报告提到，， ，，，，，Panther Lake 现在仍处于良率爬坡阶段，， ，，，，，且目今产品所有接纳相对更易制造的 HP 库。。。。 。。剖析以为，， ，，，，，先不思量英特尔允许的 32nm 间距，， ，，，，，仅从目今量产产品来看，， ，，，，，纵然在 36nm 上，， ，，，，，良率稳固仍需一些时日。。。。 。。
报告提到，， ，，，，，18A 逻辑 GA绿源环�？？？？？？萍加邢薰�A 间距达 76nm，， ，，，，，甚至远大于中芯国际 N+3 工艺的 32nm 鳍片间距。。。。 。。这印证了一个看法：GAA 工艺自己与光刻装备的关联度有限，， ，，，，，甚至在光刻装备受限时，， ，，，，，反而可通过 GAA 来放宽间距要求。。。。 。。然而，， ，，，，，即便拥有这种便当，， ，，，，，英特尔要想实现稳固的量产工艺仍非易事。。。。 。。半导体的难度远不止于光刻机，， ，，，，，极紫外光刻仅是入场券，， ，，，，，真正的竞争在于蚀刻、沉积、洗濯等更难的工艺整合能力，， ，，，，，而这正是台积电领先于英特尔和三星的焦点领域。。。。 。。